Archivo del autor: Ignacio Mártil de la Plaza

Hacia arriba: la tercera dimensión salva la ley de Moore

🌏En este artículo explico cómo la industria de los semiconductores intenta prolongar la Ley de Moore construyendo transistores “hacia arriba”, mediante arquitecturas 3D como los CFET.
📖A través de una narración clara, recorro la evolución MOSFET–FinFET–GAAFET–CFET y muestro por qué apilar transistores NMOS y PMOS puede aumentar la densidad de los chips.
🎯Una lectura muy recomendable para entender por qué el futuro de la microelectrónica ya no solo se encoge: también se eleva.

El nodo y el nanómetro: cuando el marketing le ganó la partida a la física

🔬 El artículo explica con gran claridad cómo el “nodo tecnológico” pasó de ser una medida física precisa —la longitud del canal del transistor MOSFET— a convertirse en una etiqueta industrial mucho más ambigua.
⚙️ A través del escalado de Dennard, la Ley de Moore, la llegada de los FinFET y la ruptura del significado real del nanómetro, muestra por qué hablar de 7, 5, 3 o 2 nm ya no significa lo que muchos creen.
📖 Merece la pena leerlo entero porque desmonta un mito central de la microelectrónica actual y ayuda a entender mejor qué hay detrás de la carrera mundial por los chips más avanzados.