De 50 mm a 300 mm: cómo el tamaño de las obleas redujo costes y alimentó la Ley de Moore

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🌐 De 50 mm a 300 mm: cómo el tamaño de las obleas redujo costes y alimentó la Ley de Moore

💡 Una de las claves menos conocidas, pero fundamentales, de la microelectrónica moderna no está en los transistores… sino en el diámetro de las obleas de silicio. Cada salto en tamaño ha significado más chips por oblea, menores costes por chip y un impulso decisivo a la Ley de Moore.

📏 La evolución del diámetro de las obleas
🔹 50 mm (2”) – Años 60: los primeros circuitos integrados, con apenas 50 chips por oblea.
🔹 100 mm (4”) – Finales 70: lógica más compleja y primeras DRAM, ~200 chips por oblea.
🔹 150 mm (6”) – Años 80-90: auge del PC, hasta 600 chips por oblea.
🔹 200 mm (8”) – Mitad de los 90: era de Internet y primeros smartphones, ~1.200 chips por oblea.
🔹 300 mm (12”) – Desde 2000: CPUs, GPUs y chips de IA de última generación, ¡2.700 chips por oblea!

👉 El intento de pasar a 450 mm (18”) se abandonó en 2015: los costes de equipos superaban los 20.000 millones $ por fábrica y el retorno de la inversión era insuficiente.

📉 Impacto económico
Cuando se duplica el diámetro, el área de la oblea aumenta unas 4 veces, pero el coste del equipo solo 2–3 veces.

▶️ Ejemplo:
200 mm → 31.400 mm²
300 mm → 70.650 mm² (+2,25×)
Resultado → el coste por chip cayó un 30–40%.

▶️ Este salto fue tan determinante que hoy, en 2025, el 70% de los ingresos de la industria provienen de obleas de 300 mm, dominando la lógica avanzada y la memoria.

🔑 ¿Por qué importa tanto?
✔️ Más chips por oblea = menor coste por chip.
✔️ Mayor productividad de las fábricas.
✔️ Impulso a la automatización y digitalización de las plantas.
✔️ Base de toda la evolución posterior: litografía EUV, chips de IA y nodos por debajo de 3 nm.

🎯 Conclusión
La historia de la microelectrónica no solo es la historia de transistores cada vez más pequeños. También es la de obleas cada vez más grandes, que han permitido que la Ley de Moore se mantenga viva durante más de medio siglo.

👉 La próxima vez que uses tu smartphone o tu portátil, recuerda: detrás de ese chip hay una oblea de 300 mm de silicio que hizo posible su coste y su potencia.

Publicado por Ignacio Mártil de la Plaza

Soy Doctor en Física (1982) y Catedrático de Universidad (2007) en el área de Electrónica. Realizo mi actividad docente e investigadora en la Universidad Complutense de Madrid, de carácter marcadamente experimental, en el campo de la física de los semiconductores. Soy especialista en propiedades eléctricas y ópticas de estos materiales, así como en dispositivos electrónicos y opto-electrónicos basados en ellos, siendo mi principal objetivo en la actualidad el estudio de conceptos avanzados en células solares. Mi trabajo científico se concreta en los siguientes indicadores principales: soy co-autor de más de 160 artículos científicos publicados en revistas de alto impacto de ámbito internacional; he presentado más de 100 Ponencias en congresos internacionales; he participado y participo, como Investigador Principal o como miembro del equipo investigador, en 25 proyectos de investigación financiados con fondos públicos en concurrencia competitiva; he dirigido 7 Tesis Doctorales; finalmente, soy evaluador de publicaciones (“referee”) de 15 revistas científicas internacionales. Fuera del ámbito académico, tengo un blog personal de divulgación científica en el diario Público, (“Un poco de ciencia, por favor”); soy colaborador de El País, OpenMind, El Confidencial, El Periódico de la Energía, etc. En las Redes Sociales, tengo perfiles en Instagram, Twitter, YouTube y Facebook, en este último caso, con más de 775.000 seguidores.

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