🚀 Bienvenidos al futuro de la microelectrónica: CFET (CMOS 3D apilado)
Durante décadas, la Ley de Moore ha guiado el avance imparable de la tecnología de semiconductores. Pero, ¿Qué ocurre cuando llegar más lejos en el plano ya no es suficiente? La respuesta es simple… ¡subimos hacia la tercera dimensión!
🔍 Con el desarrollo de CFET (transistor de efecto de campo complementario), damos el siguiente salto evolutivo. Este innovador enfoque apila transistores NMOS y PMOS uno encima del otro, duplicando la densidad de área y reduciendo hasta un 50% el tamaño de la lógica. Una auténtica revolución frente al diseño tradicional, en el que ambos transistores se disponían en paralelo.
🎯 Esta tecnología 3D no solo permite construir circuitos más pequeños, rápidos y eficientes. También supera los límites físicos y económicos que durante años parecían el techo definitivo de la Ley de Moore.
🧠 Como dijo Gordon Moore en 2005: «Periódicamente asombrado de cómo somos capaces de progresar. Varias veces en el camino, pensé que habíamos llegado al final de la línea, pero nuestros creativos ingenieros idean formas de evitarlas.»
💡 Hoy, esos ingenieros nos siguen sorprendiendo: Tras los MOSFET planares, los FinFET y los GAAFET, llega ahora la era del CFET. Un nuevo horizonte para seguir escalando, innovando y soñando con lo que aún está por venir.
🔧 La integración vertical, las interconexiones ultrafinas y la ingeniería de procesos más avanzada están haciendo posible lo que antes era ciencia ficción.
Bienvenidos al futuro de la microelectrónica: CFET (CMOS 3D apilado)
Un poco de ciencia, por favor 