Casi toda la tecnología electrónica está basada en el MOSFET

Publicado porIgnacio Mártil de la PlazaPublicado en Post de Linkedin

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⚠️ Sabías que casi toda la tecnología electrónica está basada en un dispositivo que se denomina MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor❓

▶️ Este dispositivo fue ideado en la década de 1920 por un científico ucraniano: Julius Lilienfeld. Se fabricó el primer dispositivo viable en 1960, en los célebres Bell Labs. Desde entonces, el MOSFET ha sufrido 3+1 transformaciones:

✔️ 1. MOSFET planar: de la década de 1960 a principios de la década de 2000. Este es el artífice principal de lo que la electrónica ha supuesto y supone en la actualidad en nuestro mundo. A medida que las dimensiones de los transistores se redujeron para lograr una mayor densidad de empaquetamiento y rendimiento, los MOSFET evolucionaron para responder a los problemas que suponían los tamaños cada vez más reducidos

✔️ 2. FinFET (transistores de efecto de campo de aleta): principios de la década de 2010 y todavía se usan ampliamente en aplicaciones como telefonía móvil, entre otras. Los FinFET tienen una estructura tridimensional en la que el canal es una aleta elevada sobre el sustrato. Mejoran significativamente el rendimiento y reducen el consumo de energía en comparación con el MOSFET.

✔️ 3. GAAFETs (Gate-All-Around FETs): es una evolución más allá de los FinFET e implica envolver la puerta alrededor del canal desde todos los lados, proporcionando un control muy preciso sobre el flujo de corriente y sobre el consumo de energía.

✔️ 3+1. CFETs (FETs complementarios): entraran en producción hacia ¿2030? En ellos, un tranasistor de canal n y otro de canal p se sitúan uno encima de otro, facilitando aumentar la escala de integración. Los CFET están diseñados para trabajar juntos de manera complementaria, donde un tipo de transistor está apagado mientras el otro está encendido, minimizando el consumo de energía durante las operaciones lógicas.

👉 Si quieres leer más sobre estas cuestiones:
https://lnkd.in/dby9u8tW
https://lnkd.in/dvNY6NzS
https://lnkd.in/dwJsdCQi

👉 Fuente de la imagen:
https://lnkd.in/dNkjqPtg

Publicado por Ignacio Mártil de la Plaza

Soy Doctor en Física (1982) y Catedrático de Universidad (2007) en el área de Electrónica. Realizo mi actividad docente e investigadora en la Universidad Complutense de Madrid, de carácter marcadamente experimental, en el campo de la física de los semiconductores. Soy especialista en propiedades eléctricas y ópticas de estos materiales, así como en dispositivos electrónicos y opto-electrónicos basados en ellos, siendo mi principal objetivo en la actualidad el estudio de conceptos avanzados en células solares. Mi trabajo científico se concreta en los siguientes indicadores principales: soy co-autor de más de 160 artículos científicos publicados en revistas de alto impacto de ámbito internacional; he presentado más de 100 Ponencias en congresos internacionales; he participado y participo, como Investigador Principal o como miembro del equipo investigador, en 25 proyectos de investigación financiados con fondos públicos en concurrencia competitiva; he dirigido 7 Tesis Doctorales; finalmente, soy evaluador de publicaciones (“referee”) de 15 revistas científicas internacionales. Fuera del ámbito académico, tengo un blog personal de divulgación científica en el diario Público, (“Un poco de ciencia, por favor”); soy colaborador de El País, OpenMind, El Confidencial, El Periódico de la Energía, etc. En las Redes Sociales, tengo perfiles en Instagram, Twitter, YouTube y Facebook, en este último caso, con más de 775.000 seguidores.

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